R&D Engineer (m/w/d) IGBT
11.06.2024
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Lampertheim, Hessen (DE)
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Aktualität: 11.06.2024
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11.06.2024, spp direkt Darmstadt GmbH Niederlassung Worms
Lampertheim, Hessen (DE)
R&D Engineer (m/w/d) IGBT
Ihre Aufgaben:
- Design und technologische Entwicklung von Hochspannungs-Silizium-Leistungsbauelementen der nächsten Generation.
- Generieren Sie neue Ideen für Gerätestrukturen und Herstellungsverfahren und bewerten Sie diese durch Analyse des Versuchsdesigns
- Arbeiten Sie mit Wafer-Foundry-Partnern zusammen, um die Produktionsreife der neuen Designs und Prozesse zu erreichen
- Arbeiten Sie mit dem Montageteam zusammen, um eine langfristige Zuverlässigkeit in verschiedenen Gehäuseformaten sicherzustellen, was Fehleranalysen und Diagnosen auf Chip- und Gehäuseebene erfordert
- Andere Pflichten, die sich im Laufe des Arbeitsverhältnisses ergeben können
Das bringen Sie mit:
- Masterabschluss in einem technischen Bereich
- Mehr als 3 Jahre Erfahrung im Design von Leistungshalbleitern, vorzugsweise IGBTs und/oder MOSFETs
- Kenntnisse und Erfahrungen aus erster Hand mit IGBT- oder MOSFET-Prozessen und Gerätelayout
- Erfahrung in TCAD-Simulationen, Testen und Charakterisieren, Halbleiter-Packaging wäre ein Plus
- Fließendes Englisch und die Fähigkeit, selbstständig in einem interkulturellen Arbeitsumfeld zu arbeiten.
- Sehr gute analytische und numerische Fähigkeiten
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