InP-Elektronik wird verstärkt für hochperformante Anwendungen im Sub-THz-Bereich eingesetzt. Im Rahmen eines DFG-geförderten Forschungsprojekts soll gemeinsam mit der Universität Duisburg-Essen und dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, die Linearität von InP HBTs erforscht und verbessert werden. Ihre Aufgabe besteht darin, die Transistoren physikalisch zu modellieren. Das beginnt mit physikalisch basierter numerischer Simulation (TCAD), umfasst die Ableitung analytischer Beschreibungen des Transistorverhaltens und soll im Ziel das kompakte FBH-HBT Modell erweitern und so den Schaltungsentwurf in der InP-HBT-Technologie ermöglichen. - wissenschaftliche Arbeit im Rahmen der Forschungsschwerpunkte des Fachgebietes - Mitarbeit bei der Vorbereitung und Durchführung von Drittmittelprojekten, hier im Projekt: »Verbesserung der Linearität von lnP DHBTs für SubTHz-BreitbandAnwendungen" - ·Vortrags- und Publikationstätigkeit zum Forschungsgegenstand - Erstellung von Beiträgen für Berichte und Präsentationen - weitere forschungszugehörige administrative Aufgaben