24-237-2B Wissenschaftler­­/­­-in oder Doktorand­­/­­-in (m/w/d) Elektrotechnik­­,­­ Angewandte Physik....

Der Bedarf an rückgeführten Kalibrierungen stellt die Hochfrequenzmetrologie vor neue Herausforderungen. Das von der EU geförderte Joint Research Project »On-wafer microwave metrology for future industrial applications" zielt darauf ab, die europäische Halbleiterindustrie zu stärken und die Entwicklung von Halbleitertechnologien der nächsten Generation für etablierte und neue Anwendungen wie 6G-Telekommunikation, Radarsensoren für Fahrzeuge und tragbare Elektronik für das Gesundheitswesen zu erleichtern. Im Rahmen des Projekts werden neue, präzise und rückführbare On-Wafer-Messverfahren für Halbleiterbauelemente entwickelt. Dazu gehören neuartige Messungen zur On-Wafer-Charakterisierung von passiven und aktiven Bauelementen wie InP-HBT-Transistoren sowie von neuen 2D- (Graphen-basiert), Dünnschicht- und Halbleitermaterialien. Sie unterstützen die Arbeitsgruppe 2.23 »On-Wafer-Streuparametermesstechnik« (https://www.ptb.de/cms/ptb/fachabteilungen/abt2/fb-22/ag-223.html) mit folgenden Tätigkeiten: - Forschung und Entwicklung an neuen On-Wafer-Messmethoden auf Basis bandgebundener und breitbandiger vektorieller Netzwerkanalyse - Implementierung der metrologischen Rückführbarkeit für industrielle Halbleitertechnologien - Entwicklung zuverlässiger und genauer Charakterisierungs- und Verifikationstechniken für aktive Bauelemente - Materialcharakterisierung für neuartige Substratmaterialien - Publikation und Präsentation der wissenschaftlichen Ergebnisse